SAMSUNG - unidad de estado sólido M.2 2000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe (Canon L.P.I. 5,45€ Incluido) (Ref.MZ-V8P2T0BW)
Marca: SAMSUNG
Referencia Fabricante: MZ-V8P2T0BW
Otros Códigos Identificativos: 1341394 - IAIDSO0438
Códigos EAN: 8806090696534
Samsung MZ-V8P2T0BW. SDD, capacidad: 2000 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7000 MB/s, Velocidad de escritura: 5100 MB/s, Componente para: PC/ordenador portátil
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- SSD: 2 TB
- Interfaz: PCI Express 4.0
- Tipo de memoria: V-NAND MLC
- NVMe: Si
- Componente para: PC/ordenador portátil
- Encriptación de hardware: Si
- Velocidad de lectura: 7000 MB/s
- Velocidad de escritura: 5100 MB/s
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- Lectura aleatoria (4KB): 1000000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 1000000 IOPS
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Versión NVMe: 1.3c
- Soporte S.M.A.R.T.: Si
- Soporte TRIM: Si
- Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
- Ancho: 80,2 mm
- Profundidad: 2,38 mm
- Altura: 22,1 mm
- Peso: 9 g
- Consumo de energía (promedio): 6,1 W
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Consumo de energía (max): 7,2 W
- Consumo de energía (inactivo): 0,035 W
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
- Máxima temperatura: 70 °C
- Tipo de embalaje: Caja
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V8P2T0BW |
| Capacidad | - 2TB |
| Interfaz | - PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3c |
| Tamaño | - M.2 (2280) |
| Rendimiento | - Lectura: 7000 MB/s - Escritura: 5100 MB/s |
| Características | - Samsung V-NAND 3-bit MLC - Soporte S.M.A.R.T incluido - Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM - Dimensiones: 80.15 x 22.15 x 2.38 mm - Peso: 9 g |
| Fecha de revisión | 25-02-2021 por MSB |