SAMSUNG - 990 PRO M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe (Canon L.P.I. 5,45€ Incluido) (Ref.MZ-V9P1T0BW)
Marca: SAMSUNG
Referencia Fabricante: MZ-V9P1T0BW
Otros Códigos Identificativos: 1362210 - IAIDSO0646
Códigos EAN: 8806094215021
Samsung 990 PRO. SDD, capacidad: 1000 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7450 MB/s, Velocidad de escritura: 6900 MB/s, Componente para: PC
- Memoria caché DDR externa: Si
- Cantidad de memoria caché DDR externa: 1024 MB
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- SSD: 1 TB
- Interfaz: PCI Express 4.0
- Tipo de memoria: V-NAND MLC
- NVMe: Si
- Componente para: PC
- Encriptación de hardware: Si
- Velocidad de lectura: 7450 MB/s
- Velocidad de escritura: 6900 MB/s
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- Lectura aleatoria (4KB): 1200000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 1550000 IOPS
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Versión NVMe: 2.0
- Soporte S.M.A.R.T.: Si
- Soporte TRIM: Si
- Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
- Función DevSleep: Si
- Ancho: 80 mm
- Profundidad: 2,3 mm
- Altura: 22 mm
- Peso: 9 g
- Consumo de energía (promedio): 5,4 W
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Consumo de energía (max): 7,8 W
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Vibración operativa: 1500 G
- Máxima temperatura: 70 °C
- Tipo de embalaje: Caja
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9P1T0BW |
| Tipo | - SSD |
| Capacidad | - 1TB |
| Formato | - M.2 2280 |
| Conexión | - PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 |
| Características | - Soporte TRIM - Soporte S.M.A.R.T - GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm - Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive) - Soporte Modo Suspensión en dispositivo - Lectura secuencial: 7,450 MB/s - Escritura secuencial: 6,900 MB/s - Lectura aleatoria (4KB, QD32): 1,200,000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD32): 1,550,000 IOPS - Lectura aleatoria (4KB, QD1): 22,000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD1): 80,000 IOPS Entorno - Consumo energético medio: 5.4- 7.8 W - Consumo energético (Idle): Max. 50 mW - Voltaje soportado: 3.3 V ± 5 % - Durabilidad (MTBF): 1.5 Million Hours Reliability (MTBF) - Temperatura: 0 - 70ºC - Golpes: 1,500 G & 0.5 ms Dimensiones y peso - 80 x 22 x 2.3 mm - 9.0g |
| Fecha de revisión | 13-12-2022 por RTY |